Link wurde in die Zwischenablage kopiertBaureihe: AQ1003-01ETG
Unidirektionale diskrete TVS-Diode der Baureihe AQ1003-01 ETG 30 pF 30 kV
Diese TVS-Diode wird in einer proprietären Silizium-Avalanche-Technologie hergestellt, die jedem I/O-Pin einzeln ein hohes Maß an Schutz für elektronische Geräte bietet, die zerstörerischen elektrostatischen Entladungen (ESD) ausgesetzt sein können. Diese robusten TVS-Dioden können wiederholte ESD-Stöße bei ±30 kV (Kontaktentladung, IEC 61000-4-2) ohne Leistungseinbußen sicher absorbieren. Darüber hinaus kann die TVS-Diode 7 A von 8/20 μs Überstromspitzen sicher ableiten (IEC 61000-4-{[ #5]} 2nd Edition) mit sehr niedrigen Klemmspannungen.
- ESD, IEC 61000-4-2, ±30 kV Kontakt, ±30 kV Luft
- EFT, IEC 61000-4-4, 40 A (5/50 ns)
- Blitz, 7 A (8/20 μs gemäß Definition in IEC 61000-4-5 {[ #6]}. Ausgabe)
- Geringer Leckstrom von 100 nA (max.) bei 5 V
- PPAP-fähig
- Kleines SOD882 (JEDEC MO-236)-Paket spart Platinenplatz
- Entspricht Löt-Grundfläche industrieller Standard-Komponenten 0402 (1005)
- AEC-Q101-qualifiziert
- Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL-1)
AQ1003-01ETG Teile
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