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Back-to-Back Zener-Dioden, die mit einer urheberrechtlich geschützten Silizium-Avalanche-Technologie hergestellt wurden, schützen jeden I/O-Pin, um elektronischen Geräten, die destruktiven elektrostatischen Entladungen (ESD) ausgesetzt sein könnten, ein hohes Maß an Schutz bieten zu können. Diese robusten Dioden absorbieren wiederholte ESD-Impulse auf der höchsten in der internationalen IEC-Norm 61000-4-2 festgelegten Ebene (Stufe 4, ±8 kV Kontaktentladung), ohne Leistungsabfälle hinnehmen zu müssen. Dank ihrer sehr geringen Ladekapazität eignen sie sich perfekt für den Schutz von High-Speed-Signalpins.
- Geringe Kapazität von 5 pF (TYP) I/O zu I/O
- ESD-Schutz von ±8 kV Kontaktentladung, ±15 kV Luftentladung, (Stufe 4, IEC 61000-4-2)
- EFT-Schutz, IEC 61000-4-4, 40 A
- Geringer Leckstrom von 0,5 µA bei 5 V
- Kleine Einheit spart Platz auf der Leiterplatte
- Blitzschutz, IEC 61000-4-5, 2 A (8/20 μs)
- RoHS-konform und bleifrei
- AEC-Q101-qualifiziert
SP1002-Teile
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