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Baureihe: AEC-Q100-qualifizierte Low-Side-SiC-Treiber

Ultraschneller Low-Side SiC-MOSFET und IGBT-Treiber mit negativer Ladungspumpe
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IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9 A Quell- und Senken-Ausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalt-Timing bei gleichzeitiger Minimierung der Schaltverluste. Ein interner negativer Ladungsregler bietet eine wählbare negative Gate-Treibervorspannung für verbesserte dV/dt-Immunität und schnelleres Abschalten.

Die Entsättigungserkennungsschaltung erkennt einen Überstromzustand des SiC-MOSFETs und leitet eine sanfte Abschaltung ein, wodurch ein potenziell schädliches dV/dt-Ereignis verhindert wird.​​​​​​​ Der Logikeingang ist TTL- und CMOS-kompatibel; dieser Eingang muss auch bei negativer Gate-Drive-Vorspannung nicht gepegelt werden.​​​​​​​ Zu den Schutzfunktionen gehören UVLO und die Erkennung der thermischen Abschaltung.​​​​​​​ Ein Open-Drain-Ausgang FAULT signalisiert dem Mikrocontroller einen Fehlerzustand.

Der IX4351NEAU ist nach AEC-Q100 Stufe 1 für einen Betriebstemperaturbereich von -40° C bis +125° C ausgelegt und ist in einem thermisch verbesserten 16-poligen schmalen SOIC-Gehäuse erhältlich.​​​​​​​


  • Abgestimmte Anstiegs- und Abfallzeiten​​​​​​​
  • Geringe Ausbreitungsverzögerung​​​​​​​
  • Großer Betriebsspannungsbereich
  • Abgestimmte Anstiegs- und Abfallzeiten​​​​​​​
  • Geringe Ausbreitungsverzögerung​​​​​​​
  • Großer Betriebsspannungsbereich

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