Der IX4351NE wurde speziell für die Ansteuerung von SiC MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt. Separate 9 A Quell- und Senken-Ausgänge ermöglichen ein maßgeschneidertes Ein- und Ausschalt-Timing bei gleichzeitiger Minimierung der Schaltverluste. Ein interner negativer Ladungsregler bietet eine wählbare negative Gate-Treibervorspannung für verbesserte dV/dt-Immunität und schnelleres Abschalten.
Ein Entsättigungserkennungsschaltkreis erkennt einen Überstromzustand des SiC-MOSFETs und leitet eine sanfte Abschaltung ein, wodurch ein potenziell schädliches dV/dt-Ereignis verhindert wird. Der Logikeingang ist TTL- und CMOS-kompatibel; dieser Eingang muss auch bei negativer Gate-Drive-Vorspannung nicht gepegelt werden. Zu den Schutzfunktionen gehören UVLO und die Erkennung der thermischen Abschaltung. Ein Open-Drain-Ausgang FAULT signalisiert dem Mikrocontroller einen Fehlerzustand.
Der IX4351NE ist für einen Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +125°C ausgelegt und in einem thermisch optimierten SOIC-Gehäuse mit 16 Polen erhältlich.