Link wurde in die Zwischenablage kopiertBiMOSFET
Der BiMOSFET integriert einen Metalloxid-Silizium-Feldeffekttransistor (MOSFET) und einen isolierten Gate-Bipolartransistor (IGBT) in einem kompakten Halbleiterschalter, der einem RC-IGBT ähnelt und über eine monolithisch integrierte Diode verfügt. Die BiMOSFET-Familie bietet eine große Bandbreite an Sperrspannungen (1700 V bis 3600 V), kann Kollektorströme bis zu 75 A bei 110 °C verarbeiten und ist in verschiedenen Hochspannungsgehäusen erhältlich, sowohl isoliert als auch nicht isoliert. Zusätzlich enthält diese Baureihe eine Multi-Chip-H-Bridge-Option in einem SMPD-Gehäuse.
- Hohe Sperrspannung bis zu 3600 V
- Niedrige VCE(sat)
- Niedrige Gate-Ladung QG
- Hoher gepulster Kollektorstrom
- Monolithisch integrierte Diode
- Positiver Temperatur-Koeffizient
- Hohe Leistungsdichten
- Niedrige Leitungsverluste
- Niedrige Anforderungen an Gate-Treiber
- Rückwärtsleitung
- Einfache Parallelschaltung
BiMOSFET-Teile
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Filter
BiMOSFET Anwendungen
- Kondensator-Entladekreise
- Induktionserhitzung
- Radarpulsmodulatoren
- Resonanzmodus-Netzgeräte
- Laser- und Röntgengeneratoren
- Gepulste Hochspannungsstromkreise
- Hochspannungstestgeräte
