Kapseltyp

Als Pionier der Press-Pack IGBT-Technologie sind wir in der Lage, eine Reihe von erstklassigen Geräten mit Nennspannungen von 1,7 kV (900 V DC-Verbindung), 2,5 kV (1,25 kV DC-Verbindung), 3,3 kV (1,8 kV-Zwischenkreis), 4,5 kV (2,8 kV-Zwischenkreis) und 6,5 kV (3,6 kV DC-Verbindung) anzubieten. Die Konstruktion dieser Vorrichtungen ist völlig frei von Draht- und Lötbindungen, wodurch die mit herkömmlichen Modulen verbundenen Probleme der mechanischen Ermüdung nahezu beseitigt werden. Die interne Streuinduktivität sowohl in den Gate-Verbindungen als auch in den Emitter-Verbindungen ist im Vergleich zu herkömmlichen Modulen erheblich reduziert, was zu einer verbesserten Robustheit und einem verbesserten Kurzschlussverhalten führt und durch direkte Kühlung der Emitter-Seite des Chips weiter verbessert wird.