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IXHH40N150HV
Scheibenvaristoren IGBT XPT-Hi Spannung TO-247AD | Baureihe: MOS gategesteuerter ThyristorMOS-gesteuerte Thyristoren sind für Hochleistungsimpuls- und kapazitive Entladungsanwendungen konzipiert und werden durch eine am Gate-Anschluss (MOS-Struktur) angelegte Spannung eingeschaltet. Kann für eine Dauer von 1 Mikrosekunden Strom bis zu 32 kA führen
| Eigentum | Wert |
|---|---|
VDM (V) | 1500 |
ITSM 1μs TC = 25°C (kA) | 7.6 |
ITSM 10μs TC = 25°C (kA) | 3.5 |
VT (V) | 7.5 |
rT (mΩ) | 1.2 |
Qg(on) (nC) | 99 |
tri TC = 25°C (ns) | 100 |
VGK(th) (V) | 5 |
Copack-Diode | Nein |
IXHH40N150HV – Ressourcen
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| Teilenummer | Teilebeschreibung | RoHS | bleifrei | RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat | REACH (SVHC)-Erklärung | REACH (SVHCs) | Halogenfrei | Materialdeklaration gemäß IPC | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXHH40N150HV | Scheibenvaristoren IGBT XPT-Hi Spannung TO-247AD | Mehr anzeigen |
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