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PT

Punch Through (PT) IGBTs
Punch-Through (PT)-IGBTs ermöglichen schnelles Schalten mit geringen Leitungsverlusten bei der Verarbeitung von Signalen im Bereich von 100 kHz bis 200 kHz. Alle PT-Bipolartransistoren mit isoliertem Gate von Littelfuse stellen eine kostengünstige Alternative zu Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) in Stromkreisen mit niedrigerer Spannung dar. Unsere GenX3TM IGBTs sind für den Einsatz in Hochleistungs-Umwandlungsanwendungen optimiert. Konsultieren Sie unseren Leistungshalbleiter-Produktkatalog, um Ihre beste Lösung zu finden.
  • Nennspannung 600 V DC oder 1,2 kV DC
  • Niederspannungssättigungspunkte von 2,5 V DC bis 3,4 V DC
  • Bewältigt Ströme zwischen 42 A und 120 A
  • Avalanche-bewertet
  • Quadratischer Sicherheitsarbeitsbereich mit Sperrspannung (RBSOA)
  • Hohe Leistungsdichte
  • Einbau eines Metalloxid-Halbleiter-Gates (MOS) vereinfacht das Einschalten
  • Erhältlich in drei Konfigurationen, von denen zwei über ein Gate, einen Emitter und einen Kollektor verfügen, während die andere nur über ein Gate und einen Emitter verfügt
  • Drei Konfigurationen ermöglichen es Designern, ihre beste Option in Bezug auf Schaltfrequenz, Effizienz und Kosten zu wählen
  • Erhältlich in JEDEC TO-Standardgehäusen
  • Geeignet für die Oberflächenmontage oder die Montage mit einer einzigen Schraube
  • Optional mit antiparalleler Fast-Recovery-Diode erhältlich

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