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GenX3™ IGBTs werden in unserem robusten HDMOS-IGBT-Verfahren mithilfe der Punch-Through(PT)-Technologie hergestellt.

300V GenX3™ IGBTs bieten Schaltfähigkeiten bis zu 150 kHz mit Stromstärken von 42A bis 120A. Die Kombination aus hohen Schaltgeschwindigkeiten und geringen Leitungsverlusten bietet Stromversorgungskonstrukteuren eine neue, hochwertige Option für Schaltanwendungen. Diese strapazierfähigen und robusten UIS-zertifizierten Geräte sind vergleichbar mit den meisten robusten Hochleistungs-MOSFETs.

600V GenX3TM  sind optimiert für Hochstromanwendungen, die Weichschalt-Frequenzen ab 200 kHz und Hartschalt-Frequenzen ab 40 kHz erfordern. Diese Geräte nutzen unsere bewährte Punch-Through(PT)-Technologie, die für höhere Stoßstromfähigkeiten, niedrigere Sättigungsspannungen und geringere Energieverluste sorgt und Entwicklern eine neue, praktikable Option für Schaltanwendungen im 600-V-Bereich bietet.

1200 V GenX3TM nutzt unsere moderne Punch-Through (PT)-Technologie, um niedrigere Sättigungsspannungen, geringere Schaltverluste und höhere Stoßstromfähigkeiten zu gewährleisten. Diese wachsende Produktreihe zielt auf den Markt für Hochspannungsstromumwandlung ab.

Für eine optimale Bauteilauswahl stehen den Konstrukteuren drei Unterklassen mit den Bezeichnungen A3, B3 und C3 zur Verfügung. Diese Klassifizierungen bieten den Konstrukteuren neben einer größeren Flexibilität beim Systemdesign auch die Möglichkeit, die beste Lösung für entscheidende Anforderungen wie Schaltfrequenz, Effizienz und Kosten zu finden.