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XPT

IGBTs
Die leistungsstärksten Halbleiterschalter zeichnen sich durch einen niedrigen Wärmewiderstand, einen niedrigen Nachlaufstrom, einen geringen Energieverlust und Hochgeschwindigkeitsschaltfähigkeiten aus. Die eXtreme Light Punch Through (XPT) IGBTs von Littelfuse erfüllen alle Anforderungen. Diese Hochspannungs-Bipolartransistoren mit isoliertem Gate sind entweder als Planar- oder Trench-IGBTs konfiguriert und können parallel verwendet werden. Dies führt zu Kosteneinsparungen und vereinfacht den Entwurf von Gate-Treiberschaltungen. Die Installation von Fast-Recovery-Dioden mit unseren XPT IGBTs sorgt für ein sanfteres Schalten und reduziert elektromagnetische Störungen erheblich.
  • Erhältlich mit Dauerspannungswerten (VCES) von 600 V bis 4,5 kV
  • Erhältlich mit typischen Nennströmen von 9 A bis 94 A
  • Sättigungsspannungen im Allgemeinen unter 4 V
  • Niedriger Gehäuse-Sperrschicht-Widerstand (z. B. 92 mK/W, 4,4 K/W)
  • Positiver Temperaturkoeffizient für Durchlassspannung erleichtert Parallelschaltung
  • Niedrige Anforderungen an Gate-Strom
  • Erhältlich mit schnellen Dioden
  • Internationale Standard-Packages

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