Baureihe: Trench

Diese Geräte wurden mit unserer proprietären XPT™-Dünnwafer-Technologie und dem hochmodernen Trench-IGBT-Prozess entwickelt und zeichnen sich durch einen reduzierten Wärmewiderstand, geringe Energieverluste, schnelles Schalten, niedrigen Schwanzstrom und hohe Stromdichten aus.

Diese IGBTs haben eine Durchbruchspannung im Bereich von 650 V bis 1200 V und sind damit ideal für hart schaltende Anwendungen ohne Snubber. Weitere Eigenschaften sind ein positiver Kollektor-Emitter-Spannungstemperaturkoeffizient, der es Entwicklern ermöglicht, mehrere Geräte parallel zu betreiben, um hohen Stromanforderungen und niedrigen Gate-Ladungen gerecht zu werden, was dazu beiträgt, die Anforderungen an den Gate-Antrieb und die Schaltverluste zu reduzieren.

Vorteile:

• Hartschaltfähigkeiten
• Hohe Leistungsdichten
• Temperaturstabilität der Diodenvorwärtsspannung VF
• Niedrige Anforderungen an den Gate-Antrieb