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CPC5602

N-CH DEPL MOSFET 350V 14 OHM SOT-223 TR | Baureihe: FET für LITELINK™
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Unsere N-Kanal-Sperrmodus-Feldeffekttransistoren (FET) verwenden einen proprietären vertikalen DMOS-Prozess der dritten Generation. Der Prozess der dritten Generation realisiert erstklassige Hochspannungs-MOSFET-Leistung in einem ökonomischen Silizium-Gate-Prozess. Der vertikale DMOS-Prozess ergibt ein robustes Bauelement für Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Eingangsimpedanz.​​​​​​​ Diese hochzuverlässigen FET-Bauelemente wurden ausgiebig in unseren Halbleiterrelais für Industrie- und Telekommunikationsanwendungen eingesetzt.

EigentumWert
BVDSX (V)
350
RDS(on) (Ω)
14
VGS(aus)_min (V)
-2
VGS(aus)_max (V)
-3.6
IDSS_min (mA)
130
IC-Gehäusetyp
SOT-223
  • Bauteil normalerweise eingeschaltet
  • Hohe Durchbruchspannung
  • Niedriger On-Widerstand
  • Niedrige VGS-Spannung (off)
  • Niedriger On-Widerstand bei niedrigen Temperaturen
  • Hohe Eingangsimpedanz
  • Niedriger Eingangs- und Ausgangsleckstrom
  • Kleine Gehäusegröße: SOT-23, SOT-89 und SOT-223

CPC5602 Anwendungen

Abschnitt „Highlights“

  • Normalerweise eingeschaltete Schalter
  • Zündmodule
  • Stromversorgungen
  • Telekommunikation
  • Unterstützung für LITELINK-Geräte

CPC5602 – Ressourcen

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TeilenummerTeilebeschreibungRoHSbleifreiRoHS (2015/863/EU)-ZertifikatREACH (SVHC)-ErklärungREACH (SVHCs)HalogenfreiMaterialdeklaration gemäß IPC
CPC5602CTRN-CH DEPL MOSFET 350V 14 OHM SOT-223 TR

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