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Niedrigstrom-Sperrmodus

Mosfets SiSic
N-Kanal-Feldeffekttransistoren (FETs) mit Sperrmodus bieten äußerst zuverlässige Halbleiter-Relais-Gate-Lösungen für Auto-, Industrie- und Telekommunikationssysteme. Die Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs nutzen die Vorteile der vertikalen doppeldiffusen Metalloxid-Halbleiter-Architektur (DMOS), um einen geringen Platzbedarf zu erreichen. Das spart Platz auf der Leiterplatte ohne Leistungseinbußen. Typische Anwendungen für die Geräte sind Zündmodule, Stromwandler, Stromversorgungen und integrierte LED-Treiberschaltungen.
  • Normalerweise geschlossen, wenn keine Spannung anliegt
  • 350 V Ableitspannung
  • Niedrige Abschaltspannung (V,GS(off))
  • Hohe Eingangsimpedanz​​​​​​​
  • Niedriger Eingangs- und Ausgangsleckstrom
  • Speziell für Hochspannungsanwendungen entwickelt
  • Die Fähigkeit, in kalten Umgebungen gute Leistungen zu erbringen, macht Geräte zu einer guten Wahl für Auto-Zündmodule
  • Kleine Größe spart Platz auf der Leiterplatte und Kosten
  • FET-Struktur verhindert thermisches Durchgehen und thermisch induzierten sekundären Durchbruch

Teile mit niedrigem Stromverbrauch

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