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N-Kanal-HiPerFETs

N-Channel HiPerFETs
N-Kanal-HiPerFETs (TM) integrieren schnelle Gleichrichter in die Architektur von Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), um niedrige Sperrverzögerungszeiten (trr > 250 ns) zu liefern. HiPerFETs von Littelfuse bieten auch Überspannungsschutz beim Ausschalten. Dadurch werden keine diskreten Varistoren benötigt, was das Design von Leiterplatten vereinfacht, die Effizienz erhöht und den Wärmewiderstand senkt. Zu den Anwendungen für N-Kanal-HiPerFETs gehören DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte sowie Temperatur- und Beleuchtungssteuerungen, die sich für hartes Schalten und den Betrieb im Resonanzmodus eignen.
  • Erhältlich mit einer Vielzahl von Abfluss-zu-Quelle-Spannungswerten (z. B. 200 V DC bis 1 KV DC)
  • Erhältlich mit einer Vielzahl von Drainstromwerten (z. B. 10 A bis 100 A)
  • Avalanche-bewertet mit niedriger Gesamt-Gate-Ladung (Qg) und niedrigem intrinsischen Gate-Widerstand (Rg)
  • Geringe Induktivität
  • Hohe Leistungsdichten
  • Robuste Polysilizium Gate-Zellstruktur
  • Erhältlich mit einer Vielzahl von Anschlussdrähten und Klemmen
  • Einfache Montage auf Leiterplatten mit einer Schraube oder einem Löten

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