IXFH30N50Q3

Die Leistungs-MOSFETs der Q3-Klasse bieten dem Endverbraucher eine breite Palette von Geräten, die eine außergewöhnliche Leistungsschaltleistung, hervorragende thermische Eigenschaften, verbesserte Strapazierfähigkeit und hohe Energieeffizienz aufweisen. Die Q3-Klasse ist mit Drain-to-Source-Spannungen von 200 V bis 1000 V und Stromabflusswerten von 10 A bis 100 A erhältlich. Sie zeichnet sich durch eine optimierte Kombination aus niedrigem Einschaltwiderstand (Rds_on) und Gate-Ladung (Q_g) aus, was zu einer erheblichen Reduzierung der Leitungs- und Schaltverluste des Gerätes führt.

Die Leistungsschaltfähigkeiten und die Robustheit des Geräts werden durch den Einsatz unseres bewährten HiPerFET^TM-Prozesses weiter verbessert. Dadurch entsteht ein Gerät mit einem schnellen intrinsischen Gleichrichter, das für eine niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr) sorgt und gleichzeitig die kommutierenden dV/dt-Bewertungen (bis zu 50 V/ns) des Geräts verbessert.

Vorteile:

• Einfache Montage
• Hohe Leistungsdichte
• Platzeinsparungen