N-Kanal-Lineare MOSFETs halten wesentlich höheren thermischen und elektrischen Belastungen stand als Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren, die für den Schaltbetrieb ausgelegt sind. Wenn diese Funktion eingeschaltet ist, sorgen die Geräte für einen gleichmäßigen Stromfluss durch einen Stromkreis. Der lineare Betrieb erzeugt Drain-zu-Source-Spannungen und Drain-Ströme, die hoch genug sind, um zum Ausfall regulärer MOSFETs zu führen. Speziell entwickelte lineare MOSFETs unterdrücken elektrothermische Rückkopplungen und arbeiten zuverlässig in ihren aktuellen Sättigungsbereichen. Zu den Anwendungen für N-Kanal-Linear-MOSFETs gehören Lüftersteuerungen, Impulsgeneratoren, E-Sicherungen und Stromregler.
Erhältlich mit einer Vielzahl von Abfluss-zu-Quelle-Spannungswerten von 75 V DC bis 2,5 kV DC
Erhältlich mit einer Vielzahl von Drainstromwerten (z. B. 2 A bis 62 A)
Garantiert durchlass-bias-sichere Betriebsbereiche (FBSOAs) bei 75 ℃
Avalanche-bewertet mit niedriger Gesamt-Gate-Ladung (Qg) und niedrigem intrinsischen Gate-Widerstand (Rg)
Epoxid-Formteile mit UL 94-Entflammbarkeitsklassen von V-0
Speziell für den linearen Betrieb entwickelt
Hohe Leistungsdichten
Erhältlich mit einer Vielzahl von Anschlussdrähten und Klemmen
Einfache Montage auf Leiterplatten mit einer Schraube oder einem Löten
Auswahlleitfaden für Leistungshalbleiter und Steuerungs-ICs
Sehen Sie sich unser umfassendes Portfolio an Leistungshalbleiter- und integrierten Schaltkreistechnologien in branchenüblichen und innovativen Gehäusen an.