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N-Kanal-Super-Junction

N-channel Super Junction MOSFETs
Super Junction N-Kanal-MOSFETs bieten die niedrigsten Durchlasswiderstände für Halbleiterschalter mit Drain-to-Source-Spannungswerten von 600 V bis 800 V. Littelfuse stellt mehrere Versionen dieser Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren her. Unsere Geräte verwenden die schnelle CoolMOS*-Technologie der dritten und vierten Generation, um zuverlässige Hochgeschwindigkeitsschaltungen für Stromversorgungen, DC/DC-Wandler und Induktionsheizungen zu gewährleisten. Wir stellen auch Multichip-Super-Junction-N-Kanal-MOSFETs her, die für den Einsatz als Abwärtswandler, Totempfahl-Geräte oder Gleichstrom-Chopper konfiguriert sind. CoolMOS* ist eine Marke der Infineon Technologies AG.
  • Erhältlich mit Drain-to-Source-Spannungen von 600 VDSS und 800 VDSS
  • Extrem niedriger Durchlasswiderstand (z. B. 7 mΩ, 45 mΩ, 125 mΩ
  • Typischer Drainstrom (ID25) zwischen 25 A und 47 A
  • Gate-Ladungsanforderungen unter 250 nC
  • Avalanche-bewertet
  • Hohe Leistungsdichten
  • Erhältlich mit Schottky-Dioden, ultraschnellen antiparallelen Dioden oder schnellen Dioden
  • Die direkte Isolierung des Kupferbond-Substrats reduziert den Wärmewiderstand von der Verbindung zum Kühlkörper
  • Internationale Standard-Packages

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