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IXKN75N60C
DiscMSFT NChSuprJuncC3-Clas SOT227B/mini | Baureihe: C3 Klasse
Diese auf der Super Junction-Technologie basierenden Power-MOSFETs verfügen über die niedrigsten RDS(on) in der 600 V-800 V MOSFET-Klasse. Die interne DCB-Isolation vereinfacht die Montage und reduziert den Wärmewiderstand von der Verbindung zum Kühlkörper. Diese Geräte sind Avalanche-bewertet und garantieren somit einen robusten Betrieb.
Vorteile:
- Einfache Montage
- Platzeinsparungen
- Hohe Leistungsdichte
(1) CoolMOS™ ist eine Marke der Infineon Technologies AG.
| Eigentum | Wert |
|---|---|
Status | Aktiv |
VDSS (V) | 600 |
RDS(ON), max bei 25 °C (Ω) | 0.036 |
ID, cont @ 25 °C (A) | 75 |
Gate-Ladung (nC) | 500 |
RthJC (K/W) | 0.22 |
Konfiguration | Einfach |
Verpackungsart | SOT-227B (Miniblock) |
CISS (pF) | 13600 |
trr,typ (ns) | 580 |
PD (W) | 560 |
VISOL,RMS (V) | 2500 |
- Siliziumchip auf Direkt-Kupfer-Bond-Substrat
- CoolMOS™(1) Power-MOSFET der 3. Generation
- Verbesserte Gesamtleistungsdichte
- Geringer Wärmewiderstand
IXKN75N60C Anwendungen
- Schaltnetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Blindleistungskorrektur (PFC)
- Schweißtechnik
- Induktive Erwärmung
IXKN75N60C – Ressourcen
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| Teilenummer | Teilebeschreibung | RoHS | bleifrei | RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat | REACH (SVHC)-Erklärung | REACH (SVHCs) | Halogenfrei | Materialdeklaration gemäß IPC | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXKN75N60C | DiscMSFT NChSuprJuncC3-Clas SOT227B/mini | Mehr anzeigen |
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