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N-Kanal Trench-Gate

N-channel Trench Gate MOSFETs
Trench-Gate N-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand und eine ausgezeichnete Temperaturtoleranz aus. Diese Eigenschaften machen sie zu idealen Halbleiterschaltern in Niederspannungs- und Hochstromsystemen und in rauen Umgebungen. Zu den Hauptanwendungen für diese Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren gehören leichte Elektrofahrzeuge, unbemannte Luftfahrzeuge und Onboard-Batterieladegeräte. Die meisten Trench-Gate N-Kanal-MOSFETs von Littelfuse sind mit der HiPerFETTM-Technologie ausgestattet. Dieser Zusatz erhöht die Schaltgeschwindigkeit und reduziert oder eliminiert gleichzeitig die Notwendigkeit von Parallelschaltungen.
  • Erhältlich mit Drain-to-Source-Spannungen von 40 VDSS bis 300 VDSS
  • Extrem niedriger Durchlasswiderstand (z. B. 0,85 mΩ, 1,3 mΩ, 3,1 mΩ)
  • Erhältlich mit einer großen Auswahl an typischen Drainströmen (ID25) von 32 A und 660 A
  • Betrieb bei Temperaturen von -40 °C bis 175 °C ℃
  • Avalanche-bewertet
  • Hohe Leistungsdichten
  • Niedriger Durchlasswiderstand minimiert Leistungsverluste
  • Optimiert für die synchrone Gleichrichtung bei Anwendungen mit Schaltnetzteilen
  • Internationale Standard-Packages

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