Link wurde in die Zwischenablage kopiertN-Kanal Ultra Junction
Ultra Junction N-Kanal-MOSFETs weisen den niedrigsten Durchlasswiderstand aller Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren auf. Die Halbleiterschalter bieten außerdem einen höheren Wirkungsgrad, einen geringeren Bedarf an Snubber-Dioden und ein geringeres Risiko für Kommutierungsfehler durch den Einbau schneller Dioden. Zu den Anwendungen für Ultra Junction N-Kanal-MOSFETs gehören DC/DC-Wandler, Elektrostapler, Motorantriebe, Onboard-Batterieladegeräte, Blindleistungskompensationsschaltungen und Telekommunikationsgeräte, die für Hochgeschwindigkeits- und Hartschaltungen optimiert sind.
- Erhältlich mit einer Vielzahl von Abfluss-zu-Quelle-Spannungswerten von 135 VDSS bis 1 kVDSS
- Extrem niedriger Durchlasswiderstand (z. B. 2,5 mΩ bis 21 mΩ)
- Erhältlich mit einem extrem breiten Spektrum an typischen Drainstromwerten (ID25), von 2 A bis 200 A
- Gate-Ladeanforderungen von nur 7 nC
- Hohe Leistungsdichten
- Niedrige Gate-Ladungen sorgen für einen höheren Wirkungsgrad bei geringerer Strombelastung
- Weiche Wiederherstellung reduziert elektromagnetische Störungen
- Geeignet für Parallelschaltung
- Internationale Standardgehäuse mit niedriger Induktivität
N-Kanal-Ultra-Junction-Teile
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