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IXTA4N65X2
DiscMSFT NChUltraJnctn X2Klasse TO-263D2 | Baureihe: X2 Class
Diese neuen Geräte, die nach dem Ladungskompensationsprinzip und mit einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt wurden, weisen die niedrigsten Durchgangswiderstände, niedrige Gate-Ladungen und eine hervorragende dv/dt-Leistung auf. Ihre Avalanche-Fähigkeit erhöht auch die Robustheit des Gerätes.
Darüber hinaus tragen die Ultra-Junction-MOSFETs dank der schnellen Soft-Recovery-Körperdiode dazu bei, Schaltverluste und elektromagnetische Störungen (EMI) zu reduzieren.
Vorteile:
- Höhere Effizienz
- Hohe Leistungsdichte
- Einfach zu montieren
- Platzeinsparungen
| Eigentum | Wert |
|---|---|
VDSS (V) | 650 |
RDS(ON), max bei 25 °C (Ω) | 0.85 |
ID, cont @ 25 °C (A) | 4 |
Gate-Ladung (nC) | 8.3 |
RthJC (K/W) | 1.56 |
Konfiguration | Einfach |
Verpackungsart | TO-263 |
CISS (pF) | 455 |
trr,typ (ns) | 160 |
PD (W) | 80 |
- Extrem niedriger Durchlasswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
- Schnelle Körperdiode
- dv/dt-Robustheit
- Avalanche-bewertet
- Geringe Package-induktivität
- Internationale Standard-Packages
IXTA4N65X2 Anwendungen
- Industrielle Schalt- und Resonanzmodus-Netzgeräte
- Batterieladegeräte für Elektrofahrzeuge
- Antriebe für Wechsel- und Gleichstrommotoren
- Gleichspannungswandler
- Wechselrichter für erneuerbare Energien
- Blindleistungskompensations(PFC)-Stromkreise
- Robotik und Servosteuerung
IXTA4N65X2 – Ressourcen
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| Teilenummer | Teilebeschreibung | RoHS | bleifrei | RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat | REACH (SVHC)-Erklärung | REACH (SVHCs) | Halogenfrei | Materialdeklaration gemäß IPC | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTA4N65X2 | DiscMSFT NChUltraJnctn X2Klasse TO-263D2 | Mehr anzeigen |
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