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IXFA34N65X3
Diskreter MOSFET 34 A 650 V X3 TO263 | Baureihe: X3 Class
Diese Ultra Junction MOSFETs der Klasse 650V X3 sind mit einer schnellen Körperdiode ausgestattet. Sie sind als TO-263-Einheit mit 34 A Nennstrom erhältlich. Diese Power MOSFETs zeichnen sich durch einen deutlich reduzierten Kanalwiderstand RDS(on) und eine geringere Gate-Ladung Qg aus, was im Vergleich zur Vorgängerklasse X2 zu einer Verbesserung der Leistungszahl FOM: RDS(on) x Qg führt. Diese Vorteile ermöglichen Designern eine höhere Effizienz und eine höhere Leistungsdichte. Diese Serie von Power MOSFETs verfügt über schnelle Kürperdioden, die eine niedrige Sperrverzögerungsladung (QRM) und eine kurze Sperrverzögerungszeit (trr) bieten.
| Eigentum | Wert |
|---|---|
Nennspannung (V) | 650 |
VDSS (V) | 650 |
RDS(ON), max bei 25 °C (Ω) | 0.1 |
ID, cont @ 25 °C (A) | 34 |
Gate-Ladung (nC) | 29 |
Konfiguration | Einfach |
Verpackungsart | TO-263 |
CISS (pF) | 2025 |
trr,typ (ns) | 150 |
PD (W) | 446 |
AEC-Q101-qualifiziert | Nein |
TJ Max. (°C) | 150 |
CRSS (pF) | 2.6 |
- Durchlasswiderstand: RDS(ON) = 100 mΩ
- Sperrverzögerungszeit: trr = 150 ns
- Wärmewiderstand: RthJC = 0,28 K/W
- Avalanche-Bewertung: EAS = 750 mJ
- Gate-Ladung Qg = 29 nC
- Geringe statische Verluste
- Gut geeignet für Hochfrequenzanwendungen
- Vereinfachtes thermisches Design
- Hohe Robustheit gegen Überspannung
- Geringer Gate-Drive-Leistungsbedarf
IXFA34N65X3 – Ressourcen
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| Teilenummer | Teilebeschreibung | RoHS | bleifrei | RoHS (2015/863/EU)-Zertifikat | REACH (SVHC)-Erklärung | REACH (SVHCs) | Halogenfrei | Materialdeklaration gemäß IPC | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFA34N65X3 | Diskreter MOSFET 34 A 650 V X3 TO263 | Mehr anzeigen |
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