IXFY30N25X3

Diese Ultra-Junction-MOSFETS, entwickelt unter Benutzung eines Ladungs-Ausgleich-Prinzips (Charge Compensation Principle) liefern die besten Figure of Merit ihrer Klasse (Widerstand -Times-Gate-Ladungs-Leistung), die in den niedrigsten Verlusten bei den Leiterbahnen und beim Umschalten resultieren. Sie bieten den niedrigsten Durchlasswiderstand der Branche.

Mit der niedrigen Sperrverzögerungsladung (reverse recovery charge) und Zeit, sind die Body-Dioden in der Lage sämtliche verbleibende Energie mittels Hochgeschwindigkeits-Switching zu entfernen, um damit Geräte-Versagen zu vermeiden und eine hohe Leistungsfähigkeit zu erreichen.

Darüber hinaus sind diese neuen Geräte avalanchefähig und weisen außerdem bessere dv/dt Leistungen auf. Sie widerstehen Geräteversagen, das durch Spannungsspitzen und zufälliges Anstellen von parasitären Bipolartransistoren, die sich in der MOSFET-Struktur befinden, verursacht wird. Deshalb benötigen diese robusten Geräte weniger Snubber und können sowohl bei harter als auch weicher Schaltleistung eingesetzt werden.