Baureihe: X4 Class

Diese Vorrichtungen werden unter Verwendung eines Ladungskompensationsprinzips und einer proprietären Prozesstechnologie entwickelt, was zu Leistungs-MOSFETs mit deutlich reduziertem Widerstand R_DS(on) und Gate-Ladung Q_g. führt. Ein niedriger Durchlasswiderstand reduziert die Leitungsverluste; er senkt auch die in der Ausgangskapazität gespeicherte Energie, wodurch die Schaltverluste minimiert werden. Eine niedrige Gate-Ladung führt zu einem höheren Wirkungsgrad bei geringen Lasten sowie zu geringeren Anforderungen an den Gate-Treiber. Darüber hinaus sind diese MOSFETs Avalanche-bewertet und weisen eine hervorragende dv/dt-Leistung auf. Auch aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten des Durchlasswiderstandes können sie parallel betrieben werden, um höheren Stromanforderungen gerecht zu werden.