IXTA10P50P

Polar™ P-Kanal-MOSFETS werden mit unserer Polar-Technologieplattform hergestellt, die den Durchlasswiderstand (RDS_on) um 30 % und die Gate-Ladung (Q_g) um 40 % im Vergleich zu herkömmlichen Gegenstücken deutlich reduziert, was zu einem geringeren Leitungsverlust und einer hervorragenden Schaltleistung führt. Sie sind dynamisch dv/dt- und Avalanche-bewertet, was sie extrem robust in schwierigen Betriebsumgebungen macht, und können durch einen Durchlasswiderstand mit positivem Temperaturkoeffizienten problemlos parallel geschaltet werden.

Diese MOSFETs sind ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, mit erstklassiger Leistung und wettbewerbsfähigen Preisen. Zu den Anwendungen gehören Gegentaktverstärker, Abwärtswandler, DC-Chopper, Leistungshalbleiterrelais, CMOS-Hochleistungsverstärker, Hochstromregler und High-Side-Schaltungen in Automobil- und Prüfausrüstungen. Die überlegene Robustheit der Polar P-Kanal-Power-MOSFETs macht sie auch zu geeigneten Geräten für Motorsteuerungen und Leistungstrennschalter oder Power-SSR für Energiesparanwendungen.

Vorteile:

• Niedrige Gate-Ladung führt zu einfachen Antriebsanforderungen
• Hohe Leistungsdichte
• Einfach zu parallelisieren
• Schnelle Schaltung