Siliziumcarbid

Halbleiterschalter aus Siliziumkarbid (SiC) übertreffen herkömmliche Dioden und Trioden bei Anwendungen, die Hochfrequenzschaltung, niedrigen Gate-Widerstand und schnelle Sperrverzögerungszeiten erfordern. Littelfuse produziert SiC-Schottky-Dioden, die deutlich geringere Schaltverluste bieten. Unsere SicMOSFETs zeichnen sich durch einen wesentlich niedrigeren Durchlasswiderstand und eine geringere Ausgangskapazität als andere Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus. Finden Sie die beste Lösung für Ihre Anwendung, indem Sie unseren Leistungshalbleiter-Produktkatalog konsultieren.

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Multichip-Konfigurationen

Die Verwendung von Multichip-SiC-MOSFETs ermöglicht es Entwicklern von Leiterplatten und integrierten Schaltkreisen, die Anzahl der Komponenten zu reduzieren und gleichzeitig die Stromdichte zu erhöhen. Littelfuse

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