background-waves

LSIC1MO170E0750

Produktstatus| Aktivi

LSIC1MO170E0750

SiC MOSFET 1700V 750mO TO-247-3L | Baureihe: SIC-MOSFETs
info

Die Littelfuse 1700 V, 750 mOhm Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs bringen die schnelle Schalt- und Energiesparleistung von SiC in den 1700 V-Spannungsbereich und zielen auf Hilfsstromversorgungen. Der MOSFET ist in 3 verschiedenen diskreten Gehäusen erhältlich, seit kurzem auch in einer TO-268-2L-Option mit zusätzlichem Abstand zwischen Source- und Gate-Pin. Der separierte Source-Pin der TO-268-7L-Option reduziert den parasitären Source-Induktivitätspfad zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei Hochleistungs-Anwendungen beiträgt. Die maximale Sperrschichttemperatur im Betrieb beträgt 175 ºC.

EigentumWert
Status
Aktiv
VDSS (V)
1700
RDS(ON), max bei 25 °C (Ω)
0.75
ID, cont @ 25 °C (A)
4.4
RthJC (K/W)
2.5
TJ Max. (°C)
175
  • Durchlasswiderstand RDS(ON) 750mΩ (typischer Wert)
  • Gate-Widerstand 29Ω typ.
  • Dauer-Drainstrom ~4,4A bei 100°C
  • Sperrstrom der Diode 9 A kontinuierlich bei 25 °C
  • Betriebstemperatur bis zu 175 °C

LSIC1MO170E0750 Anwendungen

Abschnitt „Highlights“

  • Hilfsstromversorgungen
  • Energieerzeugung und -speicherung
  • Traktion
  • Industrie-SMPS und Antriebe
  • EV DC-Ladegeräte

LSIC1MO170E0750 – Ressourcen

Anzeige von 1 bis 1 von 1 Gesamtergebnissen
Share
TeilenummerTeilebeschreibungRoHSbleifreiRoHS (2015/863/EU)-ZertifikatREACH (SVHC)-ErklärungREACH (SVHCs)HalogenfreiMaterialdeklaration gemäß IPC
LSIC1MO170E0750SiC MOSFET 1700V 750mO TO-247-3L

Wenn die von Ihnen gesuchten Umweltinformationen nicht auf dieser Registerkarte angezeigt werden, füllen Sie bitte das Formular zur Anforderung von Umweltinformationen zu Produkten aus.