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Auswahlleitfaden für Leistungshalbleiter und Steuerungs-ICs
Sehen Sie sich unser umfassendes Portfolio an Leistungshalbleiter- und integrierten Schaltkreistechnologien in branchenüblichen und innovativen Gehäusen an.
Link wurde in die Zwischenablage kopiertSchnellwiederherstellung
Schnelle Recovery-Dioden arbeiten alleine und mit Thyristoren als Halbleiterschalter und Snubber. Die kurzen Sperrverzögerungszeiten der Dioden ermöglichen Hochgeschwindigkeitsschaltungen. Die schnelle Wiederherstellung schützt auch Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) und integrierte Gate-kommutierte Thyristoren (IGCTs) vor Kommutierungsfehlern. Über unsere IXYS-Tochtergesellschaft bietet Littelfuse verschiedene Arten von schnellen Dioden mit einer Vielzahl von Leistungsmerkmalen an. Finden Sie Ihre beste Lösung in unserem Leistungshalbleiter-Produktkatalog.
- Erhältlich mit typischen Sperrverzögerungszeiten von nur 0,3 μs
- Erhältlich mit maximaler wiederkehrender Wiederherstellungsspannung (Vrrm) von 200 V bis 6 kV
- Erhältlich mit niedrigem maximalem Durchlassspannungsabfall von 900 mV bis 4,33 V
- Erhältlich mit einem breiten Spektrum an durchschnittlichen Durchlassstromwerten (Ifav) von 5 A bis 2,423 kA
- Verfügbar in Einzel-, Doppel- und üblicher Kathodenkonfigurationen
- Geringer Leckstrom
- Niedriger thermischer Widerstand von Klemme zu Übergang
- Internationale Standardgehäuse für alle außer ausgewählten HiPerDYN-Dioden für hervorragende Spannungsisolierung
Teile zur schnellen Wiederherstellung
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