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Diese Baureihe von Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden hat einen vernachlässigbaren Sperrverzögerungsstrom, ein hohes ableitvermögen und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese Dioden eignen sich ideal für Anwendungen, bei denen bessere Effizienz, Zuverlässigkeit und Temperaturkontrolle wünschenswert sind.
- Positiver Temperatur-Koeffizient für sicheren Betrieb und zur einfachen Parallelschaltung
- 175 °C maximale Sperrschichtbetriebstemperatur
- Hervorragender Überspannungsschutz
- Extrem schnelles, temperaturunabhängiges Schaltverhalten
- Dramatisch reduzierte Schaltverluste im Vergleich zu Si-Bipolar-Dioden
- MSL 1-bewertet
SiC Schottky-Dioden-Teile
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Filter
SiC Schottky-Dioden Anwendungen
- Stärkere Dioden in PFC- und DC/DC-Zuständen
- Schaltnetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
- Solar-Umrichter
- Industrielle Motorantriebe
- Batterieaufladegeräte
- Hochgeschwindigkeitsgleichrichtung
