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LSIC2SD120N80PA

Produktstatus| Nicht für neue Modellei

LSIC2SD120N80PA

1200V/80A SiC SBD in SOT-227 | Baureihe: SiC Schottky-Dioden
info

Die Baureihe der Schottky-Dioden aus Siliciumcarbid (SiC) zeichnet sich durch einen Sperrverzögerungsstrom von nahezu null, ein hohes Ableitvermögen und eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C aus. Diese Dioden eignen sich perfekt für Anwendungen, bei denen bessere Effizienz, Zuverlässigkeit und Temperaturkontrolle wünschenswert sind.

EigentumWert
VRRM (V)
1200
IF(AV)
40
Spitzendurchlassstrom IFSM (A)
300
QC (nC)
240
TJ Max. (°C)
175
Verpackungsart
SOT-227
Gegenstrom IR (µA)
<1
Vf (V)
1.5
Konfiguration
Dual
Qualification_Diode
Industriell
  • Positiver Temperatur-Koeffizient für sicheren Betrieb und zur einfachen Parallelschaltung
  • Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
  • Hervorragender Überspannungsschutz
  • Extrem schnelles, temperaturunabhängiges Schaltverhalten
  • Dramatisch reduzierte Schaltverluste im Vergleich zu Si-Bipolar-Dioden
  • Null Sperrverzögerungsstrom
  • Kupfer-Grundplatte mit AlN-Isolierung für geringen thermischen Widerstand
  • Isolationsspannung: 3000 V

LSIC2SD120N80PA Anwendungen

Abschnitt „Highlights“

  • Stärkere Dioden in PFC- und DC/DC-Zuständen
  • Schaltnetzteile
  • Solar-Umrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Industrielle Motorantriebe
  • Akkuladegeräte
  • Hochgeschwindigkeits-Gleichrichter

LSIC2SD120N80PA – Ressourcen

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TeilenummerTeilebeschreibungRoHSbleifreiRoHS (2015/863/EU)-ZertifikatREACH (SVHC)-ErklärungREACH (SVHCs)HalogenfreiMaterialdeklaration gemäß IPC
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