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Halbschnell

SemiFast-Dioden bieten extrem niedrige Sperrverzögerungszeiten, geringen Stromverbrauch und vernachlässigbare Durchlassstromverluste in Anwendungen, die Halbleiterschalter erfordern. Die antiparallelen Dioden erzeugen minimales Rauschen und wenig Erwärmung, während sie zuverlässig hochfrequente Schaltvorgänge ausführen. SemiFast Dioden werden als separate Bauelemente oder als Komponenten integrierter Schaltkreise verwendet und können als Dioden für Sättigungsschutz, Snubber Dioden, Freilauf-Dioden in Stromwandlern und Motorsteuerungen sowie als Gleichrichter in Schaltnetzteilen eingesetzt werden.
  • Nennwerte bei 1400 Vrms, 1600 Vrms und 1800 Vrms
  • Typische Sperrverzögerungszeit (trr) von 40 ns
  • Durchschnittlicher Durchlassstrom (Ifavm) von 63 A
  • Planare passivierte Sperrschichten
  • Epoxid-Formteile mit einer UL 94-Entflammbarkeitsklasse von V-0
  • JEDEC TO-247AD Gehäusegrößen
  • Weiche Wiederherstellung
  • Äußerst geringe Schaltverluste
  • Niedrige Spannungsspitzen reduzieren den Bedarf an Überspannungsschutzgeräten im Stromkreis
  • Betrieb bei niedrigeren Temperaturen, was Platz auf der Leiterplatte spart und das Schaltungsdesign vereinfacht, da der Kühlungsbedarf reduziert wird

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