
H-Brücke

H-Brücken-IGBT-Module dienen als Halbleiterschalter in Stromkreisen mit relativ niedriger Spannung. Die Module bestehen aus XPT (eXtreme Punch Through) Bipolartransistorarchitekturen mit isoliertem Gate und umfassen MOSFETs, Thyristoren und Dioden. IXYS, eine Tochtergesellschaft von Littelfuse, stellt mehrere Versionen von H-Brücken-IGBTs her, die jeweils für den Dauereinsatz, hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer ausgelegt sind.
- Kollektor-Emitter-Nennspannung von 1,2 kV
- Niedrige typische Sättigungsspannungen von 1,7 V oder 1,8 V
- Kurzschluss für 10 μs
- Quadratische Verpolung Safety Operating Area (RBSOA), das Dreifache des Nennstroms des Kollektors
- Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung erleichtert die Parallelschaltung
- Erhältlich mit SONICTM Fast-Recovery-Dioden oder Soft-Recovery-Dioden
- Niedrige Betriebsdurchlassspannungen
- Niedrige Anforderungen an die Gate-Ladung
- Minimale elektromagnetische Interferenzen