Link wurde in die Zwischenablage kopiertBaureihe: HiPerFET und MOSFET
40 V bis 1100 V HiPerFETs und MOSFETs in Oberflächenmontage-Stromversorgungsgerätepaketen (SMPD)
Mit einem Gewicht von nur 8 g ist das SMPD-Gehäuse viel leichter (typischerweise um 50 %) als vergleichbare konventionelle Leistungsmodule und ermöglicht so leichtere Stromversorgungssysteme. Durch sein kompaktes und extrem flaches Gehäuse ist es möglich, den gleichen Kühlkörper für mehrere Komponenten zu verwenden und so Platz auf der Leiterplatte zu sparen. Ein zusätzlicher Vorteil der kleineren und leichteren Bauweise besteht darin, dass sie einen besseren Schutz vor Vibrationen und G-Kräften bietet, insbesondere bei Verwendung in tragbaren Geräten, was die Lebensdauer und Zuverlässigkeit dieser Geräte erhöht.
Konfigurationen:
- Buck
- Boost
- Vollbrücke
- Halbbrücke
- Phasenzweig
- Einfach
- Ultraniedriges und kompaktes Paketprofil
- Oberflächenmontierbar im Standard-Reflowverfahren
- Geringes Package-Gewicht
- Bis zu 4500 V Keramikisolierung (DCB)
- Geringe Package-induktivität
- Exzellente Wärmeleistung
- Hohe Leistungszyklenfestigkeit
HiPerFET- und MOSFET-Bauteile
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Filter
HiPerFET und MOSFET Anwendungen
- Batterieaufladegeräte
- Schalt- und Resonanz-Stromversorgungen
- DC Choppers
- DC-DC-Konverter
- Temperatur- und Beleuchtungssteuerung
- Motorantriebe
- E-Bikes sowie Elektro- und Hybridfahrzeuge
- Solar-Umrichter
- Induktionsheizungen
