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IXD2012N
ハーフブリッジ DRVR 200V 1.4A SOIC(N)-8 | シリーズ: ハイサイドおよびローサイドドライバ
IXD2012NTRは、ハイサイド出力とローサイド出力を備えた200Vの高速ゲートドライバで、ハーフブリッジ構成でNチャネルMOSFETおよびIGBTを駆動するように設計されています。IXD2012NTRロジック入力は、3.3Vまでの標準TTLおよびCMOSレベルと互換性があり、制御デバイスとのインターフェイスが容易です。ドライバ出力は、ドライバの比較伝導を最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファを備えています。
| 特性 | 価格 |
|---|---|
最大オフセット電圧 | 200V |
一般なソースピーク駆動電流 | 1.9A |
一般なシンクピーク駆動電流 | 2.3A |
入力 | HIN / LIN |
不感時間 | なし |
伝播遅延時間 tON | 180ns |
伝播遅延時間 tOFF | 220ns |
上昇時間 tr | 30ns |
下降時間 tf | 20ns |
IC パッケージタイプ | 8ピンSOIC |
- 200 VDC フローティング ハイサイド電圧容量
- 1.9Aソース/2.3Aシンクゲート駆動能力
- +10V〜+20VのVCC電源電圧範囲
- TTL / CMOS互換ロジック入力
- -動作温度範囲:40ºC〜+125ºC
- 業界標準のピン配置
- 幅広い MOSFET と IGBT を駆動可能
- 標準供給電圧レベルで動作
- ほとんどのマイクロコントローラから直接制御可能
- 最小限の比較伝導で回路損失を最小化
IXD2012N アプリケーション
- DC-DC コンバータ
- AC-DC インバータ
- モーター コントローラ
- クラス D パワーアンプ
IXD2012N 関連資料
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シェア
| 品番 | 部品名 | RoHS | 鉛フリー | RoHS (2015/863/EU) 認証 | REACH（SVHC）適合証明書 | REACH（SVHC） | ハロゲンフリー | IPC 材料宣誓書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXD2012NTR | ハーフブリッジ DRVR 200V 1.4A SOIC(N)-8 | 詳細を見る |
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