シリーズ: AEC-Q100 適合 ローサイド SiC ドライバ

IX4351NE は、SiC-MOSFET と高電力用 IGBT の駆動に特化して設計されています。9A ソースおよびシンク出力により、スイッチング損失を最小限に抑えながら、ターンオン、ターンオフのタイミングを調整することができます。また、負電荷レギュレータを内蔵し、ゲート駆動バイアスを負にすることで、dV/dt 耐性とターンオフの高速化を可能にしています。

脱飽和検出回路は、SiC-MOSFET の過電流状態を検出し、ソフトターンオフを開始することで、潜在的に有害な dV/dt 事象を防止することができます。ロジック入力は TTL と CMOS の互換性があり、ゲートドライブバイアス電圧が負の場合でもレベルシフトする必要はありません。保護機能として、UVLO およびサーマルシャットダウン検出機能を備えています。また、FAULT 出力はオープンドレインで、マイコンに故障を通知します。

IX4351NEAU は、AEC-Q100 グレード 1 規格に適合し、動作周囲温度範囲が -40°C～+125°C で、熱対策済みの 16-ピン狭小 SOIC パッケージで提供されます。