BiMOSFET

BiMOSFET は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）と絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）を RC IGBT に似たコンパクトなソリッドステートスイッチに統合したもので、モノリシックに統合されたダイオードを特徴とします。BiMOSFET ファミリーは、幅広いブロック電圧（1700 V 〜 3600 V）を提供し、110 °C で最大 75 A のコレクター電流を処理でき、絶縁型および非絶縁型を問わず、さまざまな高電圧（HV）パッケージで入手できます。さらに、このシリーズには SMPD パッケージのマルチチップ H ブリッジオプションが含まれています。