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Punch Through (PT) IGBTs
パンチスルー (PT) IGBT は、100 kHz から 200 kHz の範囲の信号を処理する際に、低い伝導損失で高速スイッチングを実行します。リテルヒューズが製造するすべての PT 絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、低電圧回路における金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) に代わるコスト効率に優れた代替品です。当社のGenX3TM IGBTは、高電力変換アプリケーションでの使用に最適化されています。パワーセミコンダクタ製品カタログをご覧になり、最適なソリューションをお探しください。
  • 定格:600 V dc または 1.2 kV dc
  • 2.5 V dc〜3.4 V dcの低電圧飽和点
  • 42A〜120Aの電流に対応
  • アバランシェ定格
  • 正方形の逆バイアス安全動作領域(RBSOA)
  • 高出力密度
  • 金属酸化物半導体 (MOS) ゲートの組み込みによりターンオンが簡素化
  • ゲート、エミッタ、コレクタを備えたものと、ゲートとエミッタのみを持つものの 3 つの構成があります
  • 3 つの構成により、設計者はスイッチング周波数、効率、およびコストの点で最適なオプションを選択できます
  • JEDEC TO 標準パッケージで提供
  • 表面実装またはねじ1本での取り付けに最適
  • オプションで逆並列高速回復ダイオードを使用可能

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