シリーズ: ウルトラジャンクション X4 クラス

電荷補償の原理と独自のプロセス技術を使用して開発された、抵抗 R_DS(on) とゲート電荷 Q_g がきわめて低いパワー MOSFETA。オン状態抵抗が低いため伝導の損失が下がり、出力キャパシタンスに貯蔵されたエネルギーが低下するとともに、スイッチング損失が最小限に抑えられます。ゲート電荷が低いため軽負荷時の効率が向上し、ゲート駆動要件も低くなります。さらに、これらの MOSFET はアバランシェ定格で、優れた dv/dt パフォーマンスを発揮します。また、オン状態抵抗の正温度係数により並列での動作が可能で、より高い電流要件にも対応できます。