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低電力デプレッションモード
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N チャネルデプレッションモード電界効果トランジスタ (FET) は、車載用、工業、電気通信システム向けの信頼性の高いソリッドステートリレーゲートソリューションを提供します。高電圧 N チャネル MOSFET は、縦型二重拡散金属酸化膜半導体 (DMOS) アーキテクチャを採用しており、省スペースを実現しています。これにより、性能を犠牲にすることなく PCB スペースを節約できます。デバイスの代表的なアプリケーションには、点火モジュール、電力変換装置、電源、LED ドライバ集積回路などがあります。
特長
非通電時は常時閉
350V のドレイン・ソース間電圧
低カットオフ電圧(V
GS(off)
)
高入力インピーダンス
低入力と出力リーク
利点
高電圧アプリケーションに特化した設計
寒冷環境下で優れた性能を発揮するため、車載用点火モジュールに最適
小型サイズで PCB スペースとコストを節約
熱暴走や熱誘起二次破壊を防止する FET 構造
低電力デプレッションモード部品
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