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N チャネル HiPerFET

N-Channel HiPerFETs
N チャネル HiPerFET(TM) は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) アーキテクチャに高速整流器を組み込んで、短い逆回復時間 (trr > 250 ns) を実現します。リテルヒューズの HiPerFET は、ターンオフ時の過電圧保護機能も備えています。これによりディスクリートバリスタが不要となり、プリント回路基板の設計が簡素化され、効率が向上し、熱抵抗が低下します。N チャネル HiPerFET はハードスイッチングや共振モード動作に適しており、DC-DC コンバータ、バッテリ充電器、温度制御、照明制御などのアプリケーションで利用できます。
  • 幅広いドレイン-ソース間定格(例:200 V dc〜1 KV dc)で利用可能
  • 幅広いドレイン電流定格(例:10 A 〜 100 A)で利用可能
  • アバランシェ定格により、低い総ゲート電荷 (Qg) と低い内部ゲート抵抗 (Rg)
  • 低インダクタンス
  • 高い電力密度
  • 頑丈な多結晶シリコンゲートセル構造
  • 各種リードおよび端子で利用可能
  • 1 本のネジまたははんだで PCB に簡単に取り付け可能

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