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IXFN200N10P
ディスク型MSFT N-CH HiPerFET-PolaSOT-227B(mini | シリーズ: Polar
N チャネル HiPerFET ディスクリート MOSFET - パワーセミコンダクタ HiPerFET 製品群は、最も低い RDS(on)、
低 RthJC、低 Qg、向上した DV/DT 特性を提供します。
低 RthJC、低 Qg、向上した DV/DT 特性を提供します。
メリット：
- 簡単な取り付け
- 省スペース
| 特性 | 価格 |
|---|---|
VDSS (V) | 100 |
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω) | 0.0075 |
ID, cont @ 25 °C(A) | 200 |
ゲート電荷 (nC) | 235 |
RthJC (K/W) | 0.22 |
構成 | シングル |
パッケージタイプ | SOT-227 |
CISS (pF) | 7600 |
PD (W) | 680 |
trr、最大 (ns) | 150 |
- 国際規格パッケージ
- dv/dt ダイナミック定格
- アバランシェ定格
- 高速内部整流器
- 低 QG およびRDS(on)
- ドレイン - タブ間の低キャパシタンス
- 低パッケージインダクタンス
IXFN200N10P アプリケーション
- スイッチモード電源、共振モード電源
- DC-DCコンバータ
- 充電器
- 無停電電源装置
- AC モーター駆動
- 高速電力スイッチングアプリケーション
IXFN200N10P 関連資料
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シェア
| 品番 | 部品名 | RoHS | 鉛フリー | RoHS (2015/863/EU) 認証 | REACH（SVHC）適合証明書 | REACH（SVHC） | ハロゲンフリー | IPC 材料宣誓書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFN200N10P | ディスク型MSFT N-CH HiPerFET-PolaSOT-227B(mini | 詳細を見る |
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