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N チャネルリニア
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N チャネルリニア MOSFET は、スイッチモード動作用に設計された金属酸化物半導体電界効果トランジスタよりも大幅に高い熱応力と電気的ストレスに耐えることができます。デバイスがオンになると、回路に安定した電流が流れます。リニア動作では、通常の MOSFET が故障するほどの高いドレイン-ソース間電圧とドレイン電流が発生します。特別に設計されたリニア MOSFET は、電熱フィードバックを抑制し、電流飽和範囲で信頼性の高い性能を発揮します。N チャネルリニア MOSFET のアプリケーションには、ファンコントローラ、パルス発生器、電子ヒューズ、電流レギュレータなどがあります。
特長
75 V dc から 2.5 kV dc までの幅広いドレイン-ソース間定格で利用可能
幅広いドレイン電流定格(例:2 A 〜 62 A)で利用可能
75 で順方向バイアス安全動作領域 (FBSOA) を保証 ℃
アバランシェ定格により、低い総ゲート電荷 (Q
g
) と低い内部ゲート抵抗 (R
g
)
UL 94難燃性規格V-0に準拠したエポキシ樹脂モールド
利点
線形動作に特化した設計
高い電力密度
各種リードおよび端子で利用可能
1 本のネジまたははんだで PCB に簡単に取り付け可能
N チャネル線形部品
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