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高速ボディダイオードを備えたウルトラジャンクション X クラス パワー MOSFET は、業界で最も低いオンステート抵抗を誇る耐久性に優れたデバイスで、高電圧電力変換アプリケーション内での超高出力密度を実現します。電荷補償の原理と独自のプロセス技術を使用して開発されたこれらのデバイスは、低いゲート電荷と優れた dv/dt 性能を発揮します。さらに、これらのウルトラジャンクション MOSFET はファストソフトリカバリ ボディダイオードを備えることにより、スイッチング損失および電磁妨害 (EMI) を低減します。
メリット：
- より優れた効率性
- 高出力密度
- 容易に実装可能
- 省スペース
- 超低オン抵抗 RDS(ON) およびゲート電荷 Qg
- ファストボディダイオード
- 高い耐久性の dv/dt
- アバランシェ定格
- 小型パッケージインダクタンス
- 国際規格パッケージ
X クラス部品
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フィルター
X クラス アプリケーション
- 工業用スイッチング電源および共振モード電源
- 電気自動車の充電設備
- AC / DC モーター駆動
- DC-DC コンバータ
- 再生可能エネルギーインバータ
- 力率補正 (PFC) 回路
- ロボットおよびサーボ制御
