リンクがクリップボードにコピーされました
MMIX1T500N20X4
SMPD-XパッケージシングルX4MOSFET | シリーズ: X4 クラス| 特性 | 価格 |
|---|---|
VDSS (V) | 200 |
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω) | 0.00199 |
ID, cont @ 25 °C(A) | 480 |
ゲート電荷 (nC) | 535 |
RthJC (K/W) | 0.14 |
構成 | シングル |
CISS (pF) | 41.5 |
trr、最大 (ns) | 175 |
- 低RDS(on)=1.99mΩのVDSS=200Vブロック電圧
- 高電流容量ID25=480A
- DCBベースの絶縁パッケージ
- 高出力密度のコンパクト設計
- 低い伝導損失と低減された熱放散
- 並列接続するデバイス数が少ない高電力アプリケーションに対応
- 全体的な熱抵抗RthJSを低減
- 軽量かつ容易な組み立て
- 熱管理の手間を軽減
MMIX1T500N20X4 アプリケーション
- DC負荷スイッチ
- バッテリーエネルギー貯蔵システム
- 工業用およびプロセス用電源
- ドローン・VTOL
- 工業充電インフラ
MMIX1T500N20X4 関連資料
リンクがクリップボードにコピーされました2 件中 1 から 2 件目を表示
シェア
| 品番 | 部品名 | RoHS | 鉛フリー | RoHS (2015/863/EU) 認証 | REACH（SVHC）適合証明書 | REACH（SVHC） | ハロゲンフリー | IPC 材料宣誓書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMIX1T500N20X4-TR | SMPD-XパッケージシングルX4MOSFET | 詳細を見る | |||||||
| MMIX1T500N20X4-TU | SMPD-XパッケージシングルX4MOSFET | 詳細を見る |
お探しの製品環境情報がこのタブに表示されない場合は、 製品環境情報リクエストフォームに必要事項をご記入ください。
MMIX1T500N20X4 - EN