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IXSJ80N120R1
ISO247-3L 準拠の SiC MOSFET | シリーズ: SIC MOSFET
高性能セラミック基板ベースの絶縁パッケージは、固有の絶縁と高い熱伝導性を提供し、業界標準のフットプリント互換性を維持しながら、ジャンクションからヒートシンクへの熱抵抗を低減します。SiC MOSFET は、優れたスイッチング性能を維持しながら、オン抵抗を低減し、電力損失を最小限に抑えるように設計されています。このため、DC/DC コンバータ、スイッチモード電源、誘導加熱、モーター駆動など、高周波で高効率の電力管理アプリケーションに最適です。
| 特性 | 価格 |
|---|---|
状態 | アクティブ |
構成 | シングル |
VDSS (V) | 1200 |
RDS(ON),max @ 25 °C (Ω) | 0.018 |
ID, cont @ 25 °C(A) | 85 |
RthJC (K/W) | 0.47 |
最大 TJ (°C) | 150 |
VISOL、RMS (V) | 2500 |
- 低 RDS(on) = 18 mΩ で 1200V
- 0/+15..+18 V ゲート駆動の SiC MOSFET 技術
- 高性能セラミックベースの絶縁パッケージ
- 分離電圧 2500 VAC (RMS)、1 分
- 低入力キャパシタンス:4522pF
- 業界標準のパッケージ外形
- 低伝導損失
- ゲート駆動の低電力規定
- 全体的な熱抵抗 RthJH と電力対応機能の向上
- 低い熱管理要件
- 厳格な絶縁規格を必要とするアプリケーション向けに強化された安全性と適合性
- 低スイッチングロス
- 業界標準の TO-247-3L パッケージに対応
IXSJ80N120R1 アプリケーション
- 太陽光インバーター
- DC/DC コンバータ
- スイッチモード電源
- EV充電インフラ
- モータードライブ
- 誘導加熱
IXSJ80N120R1 関連資料
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シェア
| 品番 | 部品名 | RoHS | 鉛フリー | RoHS (2015/863/EU) 認証 | REACH（SVHC）適合証明書 | REACH（SVHC） | ハロゲンフリー | IPC 材料宣誓書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXSJ80N120R1 | ISO247-3L 準拠の SiC MOSFET | 詳細を見る |
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