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Hブリッジ

HブリッジIGBTモジュールは、比較的低電圧の回路で、ソリッドステートスイッチとして機能します。XPT(エクストリーム・パンチスルー)絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ・アーキテクチャを採用したモジュールには、MOSFET、サイリスタ、ダイオードが含まれます。リテルヒューズの子会社である IXYS は、連続使用、高い信頼性、長寿命を考慮して設計された複数のバージョンの H ブリッジ IGBT を製造しています。
  • コレクタ・エミッタ間電圧定格:1.2kV
  • 1.7Vまたは1.8Vの低い飽和電圧(代表値)
  • 短絡回路定格:10 μs
  • コレクタの定格電流の 3 倍の正方形の逆バイアス安全動作領域(RBSOA)
  • オン状態電圧の正温度係数により並列接続が容易
  • SONICTM 高速回復ダイオードまたはソフト回復ダイオードで使用可能
  • 低い動作順方向電圧
  • 低いゲート電荷要件
  • 電磁妨害を最小限に