Diese Halbleiter-Schutzelemente werden entweder auf eine positive oder eine negative Spannungsquelle referenziert. Dabei ist das Bauelement B1xx0C_ für eine negative (-Vref) und B2050C_ für eine positive (+Vref) Spannungsquelle vorgesehen. Das Bauelement wurde für den Einsatz mit einem SCR und einer Gate-Diode entwickelt, wobei das B1xx0C_ Battrax® bei |-Vref| + |-1,2 V| und das B2050C_ Battrax® bei |+Vref| + |1,2 V| leitend wird.
Anmerkungen:
- Alle Messungen werden bei einer Umgebungstemperatur von 25°C durchgeführt. IPP gilt für einen Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C.
- IPP ist eine repetitive Belastungsklasse für Stoßspannung und wird für die Lebensdauer des Produkts garantiert.
- Die IPP-Nennwerte setzen eine Vref = ±48 V voraus.
- VDRM wird bei IDRM gemessen.
- VS wird bei 100 V/µs gemessen.
- Die Kapazität im ausgeschalteten Zustand wird bei 1 MHz mit einer Vorspannung von 2V gemessen und ist ein typischer Wert. Die Kapazität der Ausführung „CC” ist etwa 2 Mal so hoch wie der gelistete Wert.
- Bei den Informationen über die für positive Spannungen ausgelegte Battrax-Komponente handelt es sich um vorläufige Daten.
- Der maximale Vref der für negative Spannungen ausgelegten Battrax-Komponente beträgt -200 V.
- Der maximale Vref der für positive Spannungen ausgelegten Battrax-Komponente beträgt 110V.