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IXFH26N50Q

Produktstatus| Veralteti
Ersetzt durch: |IXFH30N50Q3

IXFH26N50Q

DiscMSFT NCh HiPerFET-Q Klasse TO-247AD | Baureihe: Klasse Q
info
Die Geräte der Q-Baureihe sind beliebte Power-MOSFETs (HiPerFET™) sowohl für Hartschalt- als auch für Resonanzmodus-Anwendungen und bieten eine niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode. Sie sind in vielen Standard-Industriegehäusen erhältlich, einschließlich isolierter Typen.

Vorteile:

  • Einfache Montage
  • Hohe Leistungsdichte
  • Platzeinsparungen
EigentumWert
Status
Veraltet
VDSS (V)
500
RDS(ON), max bei 25 °C (Ω)
0.2
ID, cont @ 25 °C (A)
26
Gate-Ladung (nC)
95
RthJC (K/W)
0.5
Konfiguration
Einfach
Verpackungsart
TO-247
CISS (pF)
3900
PD (W)
250
trr,max (ns)
250
Ersetzt durch Teilenummer
IXFH30N50Q3
  • Internationale Standard-Packages
  • Robuste Polysilizium Gate-Zellstruktur
  • Zugelassen für höhere gelöste, induktive Schaltungsenergie (UIS)
  • Schneller intrinsischer Gleichrichter

IXFH26N50Q Anwendungen

Abschnitt „Highlights“

  • Gleichspannungswandler
  • Batterieaufladegeräte
  • Schalt- und Resonanzmodus-Netzgeräte
  • Gleichstrom-Chopper
  • AC-Motorsteuerung

IXFH26N50Q – Ressourcen

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TeilenummerTeilebeschreibungRoHSbleifreiRoHS (2015/863/EU)-ZertifikatREACH (SVHC)-ErklärungREACH (SVHCs)HalogenfreiMaterialdeklaration gemäß IPC
IXFH26N50QDiscMSFT NCh HiPerFET-Q Klasse TO-247AD

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