MOSFETs (Si/SiC)

Littelfuse bietet ein umfassendes Sortiment an Silizium- und Siliziumkarbid-MOSFETs, die für hocheffiziente Stromumwandlung, Schalten und Leistungsfaktorkorrektur (PFC) entwickelt wurden. Unser Portfolio umfasst diskrete Leistungs-MOSFETs und MOSFET-Module, die für Gleichrichter, Wechselrichter und PFC-Schaltungen geeignet sind. Mit einer großen Auswahl an MOSFET-Gehäusen und -Konfigurationen bieten wir sowohl Standard- als auch kundenspezifische Lösungen, um die einzigartigen Anforderungen industrieller und kommerzieller Stromversorgungssysteme zu erfüllen.

Unterkategorien unter MOSFETs (Si/SiC)

Für Autos zugelassen

Elektrofahrzeuge, vom Pkw bis zum batteriebetriebenen Gabelstapler, benötigen effiziente Halbleiterschalter, die starken Vibrationen und schwierigen

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Niedrigstrom-Sperrmodus

N-Kanal-Feldeffekttransistoren (FETs) mit Sperrmodus bieten äußerst zuverlässige Halbleiterrelais-Gate-Lösungen für Auto, Industrie und

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N-Kanal-Sperrmodus

N-Kanal-Sperr-MOSFETs bieten zuverlässige Schalt- und Stromregelungslösungen für Always-on-Stromkreise, wie z. B. für Not- und Einbruch

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N-Kanal-HiPerFETs

N-Kanal-HiPerFETs (TM) integrieren schnelle Gleichrichter in die Architektur eines Metalloxid-Halbleiters Feldeffekttransistoren (MOSFETs), um

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N-Kanal Linear

N-Kanal-Lineare MOSFETs halten wesentlich höheren thermischen und elektrischen Belastungen stand als Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren

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N-Kanal Standard

Standard N-Kanal MOSFETs dienen als hocheffiziente Halbleiterschalter in Hochspannungssystemen. Speziell für harte Schaltvorgänge entwickelt,

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N-Kanal-Super-Junction

Super Junction N-Kanal-MOSFETs verfügen über die niedrigsten Durchlasswiderstände für Halbleiterschalter mit Abfluss-zu-Quelle-Spannungswerten von 600 V bis

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N-Kanal Trench-Gate

Trench-Gate N-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand und eine ausgezeichnete Temperaturtoleranz aus. Diese Eigenschaften machen sie zu idealen massiven

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N-Kanal Ultra Junction

Ultra Junction N-Kanal-MOSFETs weisen den niedrigsten Durchlasswiderstand aller Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren auf. Das Halbleiter-

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P-Kanal

P-Kanal-MOSFETs eignen sich ideal als Halbleiterschalter, um die Spannung herunterzusetzen oder Lasten mit Masse zu verbinden. In der Sprache der Schaltungsentwickler:

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RF-MOSFETs

These RF Power MOSFETs are well-suited for use in industrial 3D metal printing applications. In high-frequency DC-DC power converter stages, they

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Siliziumcarbid

Halbleiterschalter aus Siliziumkarbid (SiC) übertreffen herkömmliche Dioden und Trioden bei Anwendungen, die Hochfrequenzschaltung, Low-Gate

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SMPD-Gehäuse-MOSFETs

Wählen Sie SMPD-MOSFETs von Littelfuse für Anwendungen, die ultrakompakte und leichte DC/DC-Wandler und -Wechselrichter erfordern, die Platz auf gedruckten

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Schaltbare Stromregler

Schaltbare Stromregler steuern den Spannungsfluss zu den Startschaltungen. Der spezialisierte dreipolige Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekt

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